2009년 01월 01일

MOS device characterization, Microelectronics Reliability, in press (2009)

Cheol-Jong Choi, Jin-Gyu Kim and Jouhahn Lee*, “Characteristics of metal-oxide-semiconductor (MOS) device with Er metal gate on SiO2 film” Microelectronics Reliability, in press (2009)

by doni | 2009/01/01 14:57 | Publications(~2000) | 트랙백

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